سن‌دیسک ساخت SSD‌های ۱ پتابایتی را در نقشه راه خود قرار داده است

سن‌دیسک در نقشه راه خود اعلام کرده که در حال ساخت SSD‌های ۱ پتابایتی است. تاریخ دقیق عرضه این محصولات هنوز فاش نشده است.

به گزارش تک‌ناک، سن‌دیسک در رویداد Investor Day از برنامه‌های خود برای ساحت SSD‌های ۱ پتابایتی مبتنی‌بر UltraQLC پرده برداشت. این شرکت DRAM سه‌بعدی (3D DRAM) را نیز بررسی‌، اما اعلام کرد که این فناوری هنوز به مرحله عرضه نرسیده و تاریخ مشخصی برای آن تعیین نشده است.

فناوری UltraQLC و توسعه SSDهای ۱ پتابایتی

تامزهاردور می‌نویسد که UltraQLC نوعی حافظه مستقل نیست؛ بلکه ترکیبی از BiCS 8 QLC 3D NAND و کنترلر اختصاصی ۶۴ کاناله NAND و فریم‌ور پیشرفته است. این کنترلر اختصاصی به فناوری شتاب‌دهنده‌های سخت‌افزاری مجهز شده است که وظایف پردازشی حیاتی را از فریم‌ور جدا می‌کند و موجب کاهش تأخیر و افزایش پهنای باند و بهبود قابلیت اطمینان برای مراکز داده در مقیاس ابری می‌شود.

همچنین، این تراشه با مدیریت هوشمند مصرف انرژی بر‌اساس نیاز پردازشی، بازدهی بهتری ارائه می‌دهد و مدیریت گذرگاه پیشرفته دارد که امکان استفاده حداکثری از ظرفیت 3D QLC NAND را بدون افت عملکرد فراهم می‌کند.

سن‌دیسک در مرحله نخست، SSDهای UltraQLC را با تراشه‌های ۲ ترابیتی NAND و ظرفیت ۱۲۸ ترابایت عرضه خواهد کرد. این شرکت قصد دارد با استفاده از حافظه‌های NAND با تراکم بیشتر، SSDهایی با ظرفیت ۲۵۶ و ۵۱۲ ترابایت و در نهایت ۱ پتابایت را در سال‌های آینده توسعه دهد.

DRAM سه‌بعدی؛ مشکلات پیش رو و راهکارهای جایگزین

با رشد روزافزون مدل‌های زبانی بزرگ (LLM) و رایانش هوش مصنوعی، تقاضا برای حافظه با ظرفیت زیاد افزایش یافته است. سن‌دیسک معتقد است که روش‌های سنتی مقیاس‌پذیری DRAM دیگر پاسخ‌گوی این نیاز نخواهد بود و صنعت با دیوار حافظه (Memory Wall) روبه‌رو شده است. سن‌دیسک سه راهکار برای حل این چالش ارائه کرده است:

1. افزایش سرمایه‌گذاری در توسعه DRAM سنتی: بازدهی این روش رو به کاهش است.
2. توسعه DRAM سه‌بعدی (3D DRAM) مشابه NAND سه‌بعدی: این فناوری هنوز مشکلات فنی متعددی دارد و مسیر مشخصی برای عرضه آن در بازار وجود ندارد.
3. ایجاد فناوری‌های حافظه مقیاس‌پذیر جدید، مانند حافظه HBF: سن‌دیسک روی آن کار می‌کند.