سامسونگ و اس‌کی هاینیکس نسل جدید حافظه‌های GDDR7 را معرفی می‌کنند

سامسونگ و اس‌کی هاینیکس جزئیات جدیدی از حافظه‌های GDDR7 با نرخ انتقال داده تا ۴۲/۵ گیگابیت‌برثانیه ارائه خواهند کرد. به گزارش تک‌ناک، سامسونگ و اس‌کی هاینیکس قصد دارند در کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) آینده جزئیات نسل جدید حافظه‌های گرافیکی GDDR7 را ارائه دهند. این حافظه‌ها با قابلیت انتقال داده تا ۴۲/۵ گیگابیت‌برثانیه افزایش […]


سامسونگ و اس‌کی هاینیکس جزئیات جدیدی از حافظه‌های GDDR7 با نرخ انتقال داده تا ۴۲/۵ گیگابیت‌برثانیه ارائه خواهند کرد.

به گزارش تک‌ناک، سامسونگ و اس‌کی هاینیکس قصد دارند در کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) آینده جزئیات نسل جدید حافظه‌های گرافیکی GDDR7 را ارائه دهند. این حافظه‌ها با قابلیت انتقال داده تا ۴۲/۵ گیگابیت‌برثانیه افزایش چشمگیر عملکرد و پهنای باند را نوید می‌دهند. استاندارد حافظه‌های GDDR7 به‌طور کلی از نرخ انتقال داده حداکثر ۴۸ گیگابیت‌برثانیه پشتیبانی می‌کند؛ اما دستگاه‌های حافظه نسل اول این فناوری به نرخ انتقال ۳۲ گیگابیت‌برثانیه دست خواهند یافت.

پهنای باند ۱۷۰ گیگابایت بر ثانیه برای حافظه‌های ۲۴Gb

تامزهاردور می‌نویسد که سامسونگ اعلام کرده است تراشه حافظه ۲۴ گیگابایتی GDDR7 این شرکت با بهبودهایی در عملکرد و ظرفیت، به نرخ انتقال داده ۴۲/۵ گیگابایت‌برثانیه می‌تواند دست یابد. این ویژگی به‌طور مستقیم باعث افزایش پهنای باند به ۱۷۰ گیگابیت‌برثانیه می‌شود که پیشرفتی بزرگ در مقایسه با محصولات فعلی این شرکت محسوب می‌شود. در‌حال‌حاضر، سامسونگ تراشه‌های حافظه GDDR7 با ظرفیت ۱۶ گیگابایت را تولید می‌کند که داده‌ها را با نرخ ۳۲ گیگابیت‌برثانیه انتقال می‌دهند و به همین ترتیب، حداکثر پهنای باند ۱۲۸ گیگابیت‌برثانیه را فراهم می‌آورند.

نسل جدید حافظه‌های گرافیکی GDDR7

ساخت کارت‌های گرافیکی با ظرفیت‌ زیاد و پهنای باند گسترده

با استفاده از حافظه‌های جدید ۲۴ گیگابایتی GDDR7، سازندگان کارت‌های گرافیک خواهند توانست کارت‌هایی با حافظه ۴۸ گیگابایت روی رابط ۵۱۲ بیت بسازند و حداکثر پهنای باند ۲/۷ ترابایت‌بر‌ثانیه را تجربه کنند. این امر برای بازارهایی که به ظرفیت فراوان و عملکرد قدرتمند نیاز دارند (به‌ویژه در زمینه‌های محاسباتی سنگین و گرافیک‌های حرفه‌ای)، مزیت بزرگی به‌ شمار می‌رود.

ویژگی‌های فنی جدید سامسونگ و اس‌کی هاینیکس

برای دستیابی به چنین سرعت‌ انتقال داده خیره‌کننده‌ای، سامسونگ تغییرات عمده‌ای در طراحی حافظه‌های خود اعمال کرده است. این شرکت از ویژگی‌هایی مانند توزیع ساعت نوشتن با توان پایین (WCK) برای بهینه‌سازی مصرف انرژی و فرستنده دوگانه بهینه‌شده برای یکپارچگی سیگنال و تقویت‌های پیشرفته ولتاژ و حاشیه زمانی برای افزایش قابلیت اطمینان در شرایط بار سنگین استفاده کرده است. این نوآوری‌ها به سامسونگ امکان می‌دهند تا حافظه‌های GDDR7 با سرعت کم‌نظیر را بدون کاهش کارایی و ثبات به تولید انبوه برساند.

در مقابل، اس‌کی هاینیکس نیز روی دریافت‌کننده تک‌انتهایی PAM-3 برای حافظه‌های GDDR7 تمرکز کرده است. این دریافت‌کننده از ویژگی معادل‌سازی بازخورد تصمیم هیبریدی تک‌انتهایی (DFE) بهره می‌برد که اطمینان می‌دهد سیگنال‌های منتقل‌شده از‌طریق رابط حافظه حتی در حضور سطوح بالای نویز و تداخل سیگنال، با کیفیت مناسب حفظ می‌شوند. این ویژگی به‌ویژه در سرعت‌های سریع و شرایطی که احتمال تداخل میان سیگنال‌ها بیشتر است، اهمیت ویژه‌ای دارد.



منبع: تکنک