صفحه نخست فناوری
  • انتشار : ۸ - اسفند - ۱۴۰۳ - 21:41
  • کد خبر : 18125
  • مشاهده : 2

    • V-NAND نسل دهم سامسونگ با بیش از ۴۰۰ لایه معرفی شد

    سامسونگ از نسل دهم حافظه V-NAND خود با بیش از ۴۰۰ لایه و سرعت ۵/۶ GT/s و فناوری Hybrid Bonding پرده‌برداری کرد. به گزارش تک‌ناک، سامسونگ در کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد ۲۰۲۵ حافظه V-NAND نسل دهم خود را رونمایی کرد. این حافظه جدید بیش از ۴۰۰ لایه فعال و سرعت رابط ۵/۶ GT/s دارد. […]


    سامسونگ از نسل دهم حافظه V-NAND خود با بیش از ۴۰۰ لایه و سرعت ۵/۶ GT/s و فناوری Hybrid Bonding پرده‌برداری کرد.

    به گزارش تک‌ناک، سامسونگ در کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد ۲۰۲۵ حافظه V-NAND نسل دهم خود را رونمایی کرد. این حافظه جدید بیش از ۴۰۰ لایه فعال و سرعت رابط ۵/۶ GT/s دارد. علاوه‌بر این، سامسونگ برای نخستین‌بار در این فناوری از معماری Cell-on-Peripheral (CoP) همراه با اتصال Hybrid بهره برده است. این ویژگی‌ها علاوه‌بر افزایش تعداد لایه‌های فعال و بهبود عملکرد، زمینه‌ساز توسعه SSD‌های پرسرعت خواهند بود.

    تامزهاردور می‌نویسد حافظه V-NAND نسل دهم که در ISSCC معرفی شد، از نوع 3D TLC NAND است و در هر دای ظرفیت ۱ ترابیت و چگالی ۲۸ گیگابیت بر میلی‌متر‌مربع دارد. هرچند این چگالی در مقایسه با V-NAND 3D QLC سامسونگ که به ۲۸/۵ گیگابیت بر میلی‌متر‌مربع می‌رسد، اندکی کمتر است، تمرکز اصلی این محصول بر افزایش تعداد لایه‌ها و بهره‌گیری از اتصال Hybrid در مدارهای جانبی بوده است.

    تعداد لایه‌های NAND

    نسل YMTC YMTC Micron Samsung Samsung Kioxia/Sandisk Kioxia/Sandisk SK hynix
    نسل ؟ Xtacking 3.0/Gen 4 Gen 9 (G9) V9 V10 BiCS 8 BiCS 9 Gen 9
    لایه‌ها ۲۳۲ لایه ۲۳۲ لایه ۲۷۶ لایه ۲۹۰ لایه (?) 4xx لایه ۲۱۸ لایه ۳۳۲ لایه ۳۲۱ لایه
    چگالی بیشتر از ۲۰ گیگابیت بر میلی‌متر مربع ۱۹.۸ گیگابیت بر میلی‌متر مربع ۲۱.۰ گیگابیت بر میلی‌متر مربع ۱۷ گیگابیت بر میلی‌متر مربع ۲۸ گیگابیت بر میلی‌متر مربع ۲۲.۹ گیگابیت بر میلی‌متر مربع (?) ؟ ۲۰ میلی‌متر مربع
    معماری TLC QLC TLC TLC TLC QLC ؟ TLC
    ظرفیت دای ۱ ترابیت ۱ ترابیت ۱ ترابیت ۱ ترابیت ۱ ترابیت ۲ ترابیت ؟ ۱ ترابیت
    سرعت ورودی/خروجی ؟ ؟ تا ۳۶۰۰ MT/s تا ۳۲۰۰ MT/s تا ۵۶۰۰ MT/s تا ۳۶۰۰ MT/s تا ۴۸۰۰ MT/s ؟

    سامسونگ مانند سایر تولیدکنندگان NAND، پیش‌تر مدارهای جانبی را در زیر آرایه حافظه قرار می‌داد؛ اما در V-NAND نسل دهم، این شرکت مدارهای جانبی شامل Row Decoder و Sense Amplifier و Buffer و Voltage Generator و I/O را روی ویفری جداگانه و با استفاده از فناوری منطقی خود تولید و سپس آن را به ویفر اصلی متصل می‌کند که آرایه حافظه 3D NAND دارد. این روش مشابه رویکردی است که شرکت‌هایی مانند Kioxia/SanDisk و YMTC نیز از آن استفاده می‌کنند.

    حافظه V-NAND نسل دهم که در ISSCC معرفی شد، از نوع 3D TLC NAND است

    این معماری جدید به سامسونگ امکان داده تا سرعت رابط V-NAND نسل دهم را به ۵/۶ GT/s افزایش دهد. در این سرعت، هر واحد NAND می‌تواند نرخ انتقال داده‌ای معادل ۷۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه ارائه دهد. در پیکربندی‌های گسترده‌تر، ده واحد از این حافظه می‌توانند حداکثر ظرفیت رابط PCIe 4.0 x4 را اشغال کنند و بیست واحد از آن‌ها می‌توانند از تمام توان PCIe 5.0 x4 بهره ببرند. پیکربندی ۳۲ دای در دو بسته NAND نیز می‌تواند به حداکثر توان PCIe 6.0 x4 نزدیک شود.

    بیشتر بسته‌های NAND در SSD‌ها شامل هشت یا شانزده دای هستند. بسته‌ای با شانزده دای می‌تواند تا ۲ ترابایت حافظه ارائه دهد و در SSD یک‌طرفه، چهار بسته از این نوع ظرفیت ۸ ترابایت را فراهم می‌کند. درایو M.2 2280 دوطرفه نیز می‌تواند این ظرفیت را به ۱۶ ترابایت برساند. بااین‌حال، سامسونگ در سال‌های اخیر SSD دوطرفه جدیدی عرضه نکرده است؛ چراکه این محصولات با بیشتر لپ‌تاپ‌های موجود در بازار سازگار نیستند.

    افزایش پهنای باند و ظرفیت V-NAND نسل دهم سامسونگ این فناوری را به گزینه‌ای ایدئال برای نسل آینده دستگاه‌های ذخیره‌سازی تبدیل می‌کند. این پیشرفت‌ها به سامسونگ کمک می‌کند تا SSD‌های فوق سریع و ماژول‌های UFS با ظرفیت‌های رقابتی تولید کند. بااین‌حال، زمان عرضه این حافظه‌ها به بازار به سرعت تولید انبوه V-NAND 3D TLC جدید بستگی دارد و سامسونگ هنوز جزئیاتی درباره ادغام V-NAND نسل دهم در مجموعه SSD‌های خود ارائه نکرده است.



    منبع: تکنک

  • ارسال :
    • برچسب ها

    این مطلب بدون برچسب می باشد.